Enhanced Centura Prime Epi
把逻辑级 SiGe / SiP selective epi 引入 DRAM peripheral transistor;设备 footprint 缩小 20%。
AMAT 的产品不是一串工艺名,而是一组可复用的平台底座、工艺腔室和量产控制系统。 这座展厅把它们拆开,让你真正看见晶圆如何在设备内部移动。

客户真正采购的是“平台底座 × chamber 配置 × recipe × 服务”,不是一个工艺名对应一台固定机器。
五代平台的变化,本质是腔室尺寸、真空等级、吞吐密度和可集成步骤数的变化。 同一个平台上可以承载不止一种材料工艺。
默认外观逐机型对照 AMAT 官网实机;开启透视或爆炸视图,再观察被机柜包覆的 chamber、beamline、机械手与关键管路。点亮“晶圆路径”,可看到晶圆从 FOUP 被水平取出,经 load lock 和真空机械手进入工艺腔。
新一代模块化通用平台
这里把 AMAT 官网产品图与公开二手设备实拍并列。每次切换照片,标注会跟着当前角度 重排,只保留这一张图里真正看得到的结构。

AMAT 不做光刻机,但覆盖光刻前后的大量材料步骤。优势来自相邻步骤共同优化, 不只是单个 chamber 的份额。
沉积绝缘层、阻挡层、种子层、外延层
塑形、刻蚀并把图案转入材料层
注入掺杂离子,改变材料电性
去除高点与 overburden,恢复平坦表面
量 CD、overlay、埋层与缺陷
清洗、活化、对准并键合 chiplet
把逻辑级 SiGe / SiP selective epi 引入 DRAM peripheral transistor;设备 footprint 缩小 20%。
针对厚膜、长抛光和 hybrid bonding 平坦度,实时调整 polish 条件。
为 TSV 与 microbump 铜电镀加入 Adaptive Pattern Tuning,修正版图驱动的不均匀。
在超薄 DRAM die 周围沉积 stress-balanced dielectric,控制 12/16-high 堆叠翘曲。
在厚、翘曲、异质基板上做 sub-10nm CD metrology。
把 wafer-fab 级 eBeam defect review 延伸到 silicon、organic 与 glass substrate。
设备外形与结构关系只采用 AMAT 官网产品页、官方动画、发布稿和技术简报。 3D 模型用于回答“长什么样、晶圆怎么走、关键模块在哪”,不包含内部尺寸、管路和客户配置。